IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211125.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 15 шт. —
225 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/1.9А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFBG30PBF
pdf, 1636 КБ
IRFBG30 Datasheet
pdf, 167 КБ
Документация
pdf, 1638 КБ
Datasheet IRFBG30
pdf, 606 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
