IRFD024PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 2.5А [HVMDIP]
![Фото 1/4 IRFD024PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 60В, 2.5А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 25 шт. —
102 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,8А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.9 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1243 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
IRFD024 datasheet
pdf, 172 КБ
Документация
pdf, 1271 КБ
Datasheet IRFD024, SiHFD024
pdf, 1273 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
