Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD1]

Артикул: IRFD110PBF
Ном. номер: 12701
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRFD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD1]
Фото 2/3 IRFD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD1]Фото 3/3 IRFD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD1]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
21 × = 21
от 50 шт. — 18 руб.
от 100 шт. — 14.83 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel MOSFET, up to 2A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFD110 Datasheet
pdf, 174 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD110PBF
Datasheet IRFD110PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов