Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFD120PBF, Транзистор, N-канал 100В 1.3А [HD1]

Артикул: IRFD120PBF
Ном. номер: 5978
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRFD120PBF, Транзистор, N-канал 100В 1.3А [HD1]
Фото 2/3 IRFD120PBF, Транзистор, N-канал 100В 1.3А [HD1]Фото 3/3 IRFD120PBF, Транзистор, N-канал 100В 1.3А [HD1]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
28 × = 28
от 50 шт. — 25 руб.
от 100 шт. — 15.70 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFD120PBF is a 100V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
270
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFD120 datasheet
pdf, 176 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD120PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов