IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]
![Фото 1/3 IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
106 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 0,31А, 1Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 Ом/0.21А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
| Крутизна характеристики, S | 2 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet IRFD320, SiHFD320
pdf, 408 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
