IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]
![Фото 1/6 IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал, 60В, 1.6А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 15 шт. —
117 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -1,1А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом/0.96А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
| Крутизна характеристики, S | 1.3 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1689 КБ
Datasheet
pdf, 1663 КБ
IRFD9024 Datasheet
pdf, 178 КБ
Документация
pdf, 1691 КБ
Datasheet IRFD9024, SiHFD9024
pdf, 1693 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
