IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]

Фото 1/5 IRFD9110PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 0.7A [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
от 15 шт.103 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 752705424
Артикул: IRFD9110PBF

Описание

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 Ом/0.42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 0.6
Корпус HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 0.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1639 КБ
IRFD9110 Datasheet
pdf, 173 КБ
Документация
pdf, 1641 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов