IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/0.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 0.71 | |
Корпус | HVMDIP-4 | |
Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1015 КБ
Datasheet IRFD9120PBF
pdf, 1015 КБ
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ
Документация
pdf, 2031 КБ
Datasheet IRFD9120, SiHFD9120
pdf, 1017 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают