Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFH5302TR2PBF, Nкан 30В 100А PQFN5x6

Артикул: IRFH5302TR2PBF
Ном. номер: 9000102716
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRFH5302TR2PBF, Nкан 30В 100А PQFN5x6
Фото 2/2 IRFH5302TR2PBF, Nкан 30В 100А PQFN5x6
Есть в наличии более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
120 × = 120
от 40 шт. — 49 руб.

Описание

International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии. Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока.

Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается – «защелкивается» медная пластина – клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу – контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл – медная клипса менее чем 1 мОм.

Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В – соответственно 1.4 мОм и 50 нК.

В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе
2.35

Техническая документация

IRFH5302PBF datasheet
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео