Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFH7185TRPBF, Транзистор, FastIRFET с диодом, N-канал, 100В, 19А [PQFN-5x6]

Артикул: IRFH7185TRPBF
Ном. номер: 9000217593
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFH7185TRPBF, Транзистор, FastIRFET с диодом, N-канал, 100В, 19А [PQFN-5x6]
Фото 2/4 IRFH7185TRPBF, Транзистор, FastIRFET с диодом, N-канал, 100В, 19А [PQFN-5x6]Фото 3/4 IRFH7185TRPBF, Транзистор, FastIRFET с диодом, N-канал, 100В, 19А [PQFN-5x6]Фото 4/4 IRFH7185TRPBF, Транзистор, FastIRFET с диодом, N-канал, 100В, 19А [PQFN-5x6]
Есть в наличии более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
180 × = 180
от 10 шт. — 155 руб.
от 100 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFH7185TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. The FastIRFET™ power MOSFET is suitable for secondary side synchronous rectification and primary switch for high frequency 48/60V telecom DC-to-DC power supplies. It is compatible with existing surface-mount techniques.

• Low RDS (ON) (<=5.2mr) results="" in="" low="" conduction=""></=5.2mr)>
• Low thermal resistance to PCB (<0.8°C/W) results in increased power density
• Low profile (<1mm) results in increased power density
• Halogen-free
• MSL-1 (increased reliability)

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

irfh7185pbf Datasheet
pdf, 496 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFH7185TRPBF
Datasheet IRFH7185TRPBF
MOSFET N-Channel 100V 19A QFN8 EP IRFH7185TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов