IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)
![Фото 1/3 IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313837.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 15 шт. —
226 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0031 Ом/20А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 59 | |
| Крутизна характеристики, S | 81 | |
| Корпус | PQFN-8(5X6) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 244 КБ
Datasheet IRFH8318TR2PBF
pdf, 239 КБ
Datasheet IRFH8318TRPBF
pdf, 255 КБ
Datasheet IRFH8318
pdf, 281 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
