IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]
![IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]](https://static.chipdip.ru/lib/432/DOC004432363.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 15 шт. —
102 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом/20А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.8 | |
| Крутизна характеристики, S | 70 | |
| Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2…2.2 | |
| Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
Datasheet IRFHM8326
pdf, 265 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
