IRFHS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.5А [PQFN-2x2]
![Фото 1/2 IRFHS8342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 8.5А [PQFN-2x2]](https://static.chipdip.ru/lib/308/DOC005308130.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
от 15 шт. —
41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 48 руб.
Описание
The Infineon IRFHS8342 is strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом/8.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 | |
| Крутизна характеристики, S | 18 | |
| Корпус | PQFN-6(2X2) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFHS8342TRPBF
pdf, 231 КБ
Datasheet IRFHS8342
pdf, 238 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
