Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FP

Артикул: IRFI3205PBF
Ном. номер: 738360979
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FP
Фото 2/5 IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FPФото 3/5 IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FPФото 4/5 IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FPФото 5/5 IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FP
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
140 × = 140
от 30 шт. — 61 руб.
от 300 шт. — 51.39 руб.

Описание

The IRFI3205PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier. The package is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Isolated package
• Fully avalanche rating
• 2.5kVRMS High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRFI3205 Datasheet
pdf, 112 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFI3205PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов