IRFI540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 20А [TO-220FP]
![Фото 1/5 IRFI540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 20А [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210115.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 15 шт. —
211 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 Ом/11А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 | |
| Крутизна характеристики, S | 9 | |
| Корпус | TO-220FP | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFI540NPBF
pdf, 262 КБ
Документация
pdf, 499 КБ
Datasheet IRFI540N
pdf, 136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
