IRFIB6N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 5.5А [TO-220FP]
![Фото 1/5 IRFIB6N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 5.5А [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211907.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
390 руб.
от 15 шт. —
331 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 600V 5.5 Amp
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75 Ом/3.3А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 | |
| Крутизна характеристики, S | 5.5 | |
| Корпус | TO-220FP | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 150 КБ
Datasheet
pdf, 139 КБ
Datasheet IRFIB6N60APBF
pdf, 155 КБ
IRFIB6N60A Datasheet
pdf, 149 КБ
Документация
pdf, 152 КБ
Datasheet IRFIB6N60A
pdf, 194 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
![FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
