IRFIB7N50APBF, MOSFET N-Channel 500V 6.6

PartNumber: IRFIB7N50APBF
Ном. номер: 8119692858
Производитель: Vishay
IRFIB7N50APBF, MOSFET N-Channel 500V 6.6
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
360 × = 360
от 25 шт. — 190 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 6A to 7A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay IRFIB7N50APBF N-channel MOSFET Transistor, 6.6 A, 500 V, 3-pin TO-220FP

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
высота
9.8mm
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Resistance
0.52 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
60 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
52 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1423 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

IRFIB7N50APBF Data Sheet