Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFL014PBF (IRFL014TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223]

Артикул: IRFL014PBF (IRFL014TRPBF)
PartNumber: IRFL014TRPBF
Ном. номер: 987395855
Производитель: Vishay
Фото 1/5 IRFL014PBF (IRFL014TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223]
Фото 2/5 IRFL014PBF (IRFL014TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223]Фото 3/5 IRFL014PBF (IRFL014TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223]Фото 4/5 IRFL014PBF (IRFL014TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223]Фото 5/5 IRFL014PBF (IRFL014TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 2.7А [SOT-223]
Есть в наличии более 400 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
26 × = 26
от 40 шт. — 20 руб.
от 400 шт. — 18.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFL014PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
• Surface-mount

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFL014PBF Datasheet
pdf, 790 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFL014PBF (IRFL014TRPBF) IRFL014TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов