IRFL024ZPBF, МОП-транзистор, автомобильный, N Канал, 5.1 А, 55 В, 0.0462 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: IRFL024ZPBF
Ном. номер: 8015601473
Производитель: Infineon Technologies
IRFL024ZPBF, МОП-транзистор, автомобильный ...
Доступно на заказ 3546 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
120 × = 120
от 25 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 34 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRFL024ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 8658315

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
5.1А
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0462Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
2.8Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IRFL024ZPBF