Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]

Артикул: IRFL110PBF (IRFL110TRPBF)
PartNumber: IRFL110TRPBF
Ном. номер: 48722
Производитель: Vishay
Фото 1/5 IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]
Фото 2/5 IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]Фото 3/5 IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]Фото 4/5 IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]Фото 5/5 IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
20 × = 20
от 100 шт. — 18 руб.
от 1000 шт. — 16.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFL110TRPBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rating
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Дополнительная информация

Datasheet IRFL110PBF (IRFL110TRPBF) IRFL110TRPBF
Datasheet IRFL110PBF (IRFL110TRPBF) IRFL110TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов