Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]

Артикул: IRFP4668PBF
Ном. номер: 9000087117
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]
Фото 2/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]Фото 3/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]Фото 4/4 IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
220 × = 220
от 5 шт. — 200 руб.
от 50 шт. — 190 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFP4668PBF from International Rectifier is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET featured with improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness, fast switching. Applicable at high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Drain to source voltage (Vds) of 200V
• Gate to source voltage of ±30V
• On resistance Rds(on) of 8mohm at Vgs 10V
• Power dissipation Pd of 520W at 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
9.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

IRFP4668PBF Datasheet
pdf, 287 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP4668PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов