IRFP7718PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 75В, 195А,1.8мОм [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 руб.
от 15 шт. —
696 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0018 Ом/100А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 517 | |
Крутизна характеристики, S | 420 | |
Корпус | TO-247AC | |
Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 554 КБ
Datasheet IRFP7718PBF
pdf, 516 КБ
Datasheet irfp7718pbf
pdf, 769 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают