IRFR1010ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 91А [D-Pak]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 15 шт. —
403 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
The Infineon OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075 ом при 42a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Крутизна характеристики, S | 31 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 338 КБ
Datasheet IRFR1010Z, IRFU1010Z
pdf, 328 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов