Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]

Артикул: IRFR1205PBF
Ном. номер: 119511477
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]
Фото 2/4 IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]Фото 3/4 IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]Фото 4/4 IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
27 × = 27
от 50 шт. — 22 руб.
от 75 шт. — 19.29 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFR1205PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
27
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFR1205 Datasheet
pdf, 149 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFR1205PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов