Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-Pak

Артикул: IRFR3411PBF
Ном. номер: 1418628386
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-Pak
Фото 2/4 IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-PakФото 3/4 IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-PakФото 4/4 IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-Pak
Есть в наличии более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
78 × = 78
от 60 шт. — 32 руб.

Описание

The IRFR3411PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRFR3411
pdf, 112 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFR3411PBF
IRFR3411PbF HEXFET® Power MOSFET Data Sheet IRFR3411PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов