IRFR3505PBF, Nкан 55В 71А D-Pak, транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 руб.
от 25 шт. —
33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 77 руб.
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 55V, 0.013OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 Ом/30А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Крутизна характеристики, S | 41 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
IRFR3505PBF Datasheet
pdf, 332 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов