IRFR430APBF, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 500 В, 1.7 Ом, 10 В, 2 В

PartNumber: IRFR430APBF
Ном. номер: 8018677843
Производитель: Infineon Technologies
IRFR430APBF, МОП-транзистор, N Канал, 5 А ...
Доступно на заказ 68 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
89 × = 89
от 25 шт. — 77 руб.
от 50 шт. — 70 руб.

Описание

The IRFR430APBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for switch mode power supply (SMPS) and high speed power switching.

• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Effective COSS specified

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1704012

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.7Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
110Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный