Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFR5505PBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]

Артикул: IRFR5505PBF
Ном. номер: 1173628306
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRFR5505PBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]
Фото 2/3 IRFR5505PBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]Фото 3/3 IRFR5505PBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
26 × = 26
от 50 шт. — 23 руб.
от 75 шт. — 21 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFR5505PBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Halogen-free

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRFR5505 Datasheet
pdf, 108 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFR5505PBF
IRFR5505PBF Data Sheet IRFR5505PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов