IRFR6215TRLPBF, Транзистор HEXFET P канал 150В 13А [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 15 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
The Infineon HEXFET power MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.295 Ом/6.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Крутизна характеристики, S | 3.6 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFR6215, IRFU6215 (Infineon)
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают