IRFS3207Z

IRFS3207Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 руб.
от 2 шт.850 руб.
от 5 шт.769 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 970 руб.
Номенклатурный номер: 8002431689

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 120A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 120A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6920pF @ 50V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Tube
Part Status Discontinued at Digi-Key
Power Dissipation (Max) 300W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 75A, 10V
Series HEXFETВ®
Supplier Device Package DВІPAK(TO-263)
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150ВµA
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов