IRFS3207Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 руб.
от 2 шт. —
850 руб.
от 5 шт. —
769 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 970 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 75V, 120A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6920pF @ 50V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Tube |
Part Status | Discontinued at Digi-Key |
Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 75A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | DВІPAK(TO-263) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150ВµA |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFSL3207ZPBF
pdf, 491 КБ
IRFS3207ZPBF datasheet
pdf, 450 КБ
Datasheet IRFB3207Z, IRFS3207Z, IRFSL3207Z
pdf, 486 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов