IRFS3607TRLPBF, HEXFET N-Ch MOSFET 80A 75

PartNumber: IRFS3607TRLPBF
Ном. номер: 8038650123
Производитель: International Rectifier
IRFS3607TRLPBF, HEXFET N-Ch MOSFET 80A 75
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
96 × = 960
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 74 руб.
от 100 шт. — 59.50 руб.

Описание

N-Channel MOSFETs 80A to 84A

MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
International Rectifier IRFS3607TRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 75 V, 3-pin D2PAK

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.67 x 9.65 x 4.83mm
высота
4.83mm
длина
10.67mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Resistance
0.009 Ω
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
140 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
D2PAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
56 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3070 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
43 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
ширина
9.65mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

IRFS3607TRLPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet