Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFS4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 45А [D2PAK]

Артикул: IRFS4229PBF
Ном. номер: 9000087096
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFS4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 45А [D2PAK]
Фото 2/4 IRFS4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 45А [D2PAK]Фото 3/4 IRFS4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 45А [D2PAK]Фото 4/4 IRFS4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 45А [D2PAK]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
140 × = 140
от 25 шт. — 130 руб.
от 30 шт. — 125 руб. (1-2 недели)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFS4229PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.

• Advanced process technology
• Low Qg for fast response
• High repetitive peak current capability for reliable operation
• Short fall and rise times for fast switching
• Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

IRFS4229PBF Datasheet
pdf, 310 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFS4229PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов