IRFS4321TRLPBF, MOSFET N-Channel HEXFET 1

PartNumber: IRFS4321TRLPBF
Ном. номер: 8064939748
Производитель: International Rectifier
IRFS4321TRLPBF, MOSFET N-Channel HEXFET 1
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
210 × = 840
Количество товаров должно быть кратно 4 шт.
от 40 шт. — 140 руб.
от 200 шт. — 104.40 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET over 55A, International Rectifier

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRFS4321TRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 85 A, 150 V, 3+Tab-Pin D2PAK

Технические параметры

Прямое напряжение диода
1.3V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
4460 pF @ 50 V
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
71 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
18 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
10.67 x 11.3 x 4.83мм
Длина
10.67mm
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Тип корпуса
D2PAK
Максимальный непрерывный ток стока
85 A
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83mm
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Количество элементов на ИС
1
Ширина
11.3mm
Типичное время задержки выключения
25 ns
Максимальное рассеяние мощности
350 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Число контактов
3 + Tab
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

IRFS4321PbF N-channel HEXFET Power MOSFET