IRFS7437TRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 100А, 156Вт, PQFN5X6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 250 A |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Qg - заряд затвора | 225 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 70 ns |
| Время спада | 53 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 160 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 78 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.0014Ом |
| Power Dissipation | 230Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | StrongIRFET HEXFET |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 250А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0014Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 292 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFS7437TRLPBF
pdf, 312 КБ
IRFS7437PBF
pdf, 297 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
