IRFS7734-7PPBF, MOSFET,IRFS7734-7PPBF

PartNumber: IRFS7734-7PPBF
Ном. номер: 8073374043
Производитель: International Rectifier
IRFS7734-7PPBF, MOSFET,IRFS7734-7PPBF
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
260 × = 1 300
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 170 руб.
от 50 шт. — 144.80 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET over 55A, International Rectifier

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRFS7734-7PPBF N-channel MOSFET Transistor, 197 A, 75 V, 7-Pin D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Пятиканальный источник, одиночный дренаж, одиночный затвор
Размеры
10.54 x 9.65 x 4.83мм
Максимальный непрерывный ток стока
197 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0031 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
294 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
7
Типичный заряд затвора при Vgs
180 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
10130 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
123 нс
Типичное время задержки включения
17 нс
Ширина
9.65mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Высота
4.83mm
Длина
10.54mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

StrongIRFET IRFS7734-7PPbF, HEXFET Power ...