IRFSL3806PBF, HEXFET N-Ch MOSFET 43A 60

PartNumber: IRFSL3806PBF
Ном. номер: 8004135897
Производитель: International Rectifier
IRFSL3806PBF, HEXFET N-Ch MOSFET 43A 60
Доступно на заказ 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
74 × = 740
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRFSL3806PBF N-channel MOSFET Transistor, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-262

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.65мм
Максимальный непрерывный ток стока
43 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0158 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
71 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-262
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1150 пФ при 50 В
Типичное время задержки выключения
49 ns
Типичное время задержки включения
6.3 нс
Ширина
4.83mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
9.65mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRFS3806PBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet