IRFTS9342TRPBF, MOSFET P-Channel HEXFET 3

PartNumber: IRFTS9342TRPBF
Ном. номер: 8069935903
Производитель: International Rectifier
IRFTS9342TRPBF, MOSFET P-Channel HEXFET 3
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
19 × = 950
Количество товаров должно быть кратно 50 шт.
от 500 шт. — 14 руб.

Описание

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRFTS9342TRPBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 5.8 A, 30 V, 6-Pin TSOP

Технические параметры

Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.75mm
Максимальное рассеяние мощности
2 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Число контактов
6
Типичное время задержки выключения
45 нс
Прямая активная межэлектродная проводимость
6.8с
Прямое напряжение диода
-1.2V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
595 pF@ -25 V
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ -10 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
P
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
4.6 ns
Размеры
3 x 1.75 x 1.3мм
Длина
3mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
TSOP
Максимальный непрерывный ток стока
5.8 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.3mm
Максимальное сопротивление сток-исток
66 mΩ
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний

Дополнительная информация

IRFTS9342PbF, HEXFET Power MOSFET