Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4BC20FDPBF, IGBT+ диод 600В 16А TO220AB

Артикул: IRG4BC20FDPBF
Ном. номер: 6834051299
Производитель: International Rectifier
IRG4BC20FDPBF, IGBT+ диод 600В 16А TO220AB
Доступно на заказ 229 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 170
от 25 шт. — 131 руб.
от 100 шт. — 120 руб.

Описание

The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Код: 8650330

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.05
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4BC20FD datasheet
pdf, 221 КБ
IRG4BC20FD datasheet
pdf, 221 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRG4BC20FDPBF