Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц TO220AB

Артикул: IRG4BC30FPBF
Ном. номер: 33313383
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц TO220AB
Фото 2/4 IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц TO220ABФото 3/4 IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц TO220ABФото 4/4 IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц TO220AB
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
95 × = 95
от 80 шт. — 76 руб.
от 100 шт. — 70 руб. (1-2 недели)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4BC30FPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.6
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

IRG4BC30F Datasheet
pdf, 172 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC30FPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов