Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]

Артикул: IRG4BC30FDPBF
Ном. номер: 821527756
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]
Фото 2/4 IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]Фото 3/4 IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]Фото 4/4 IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
140 × = 140
от 20 шт. — 120 руб.
от 50 шт. — 78.45 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4BC30FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.6
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Дополнительные опции
встроенный быстродействующий диод
Корпус

Техническая документация

IRG4BC30FD Datasheet
pdf, 417 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4BC30FDPBF
IRG4BC30FDPBF Data Sheet IRG4BC30FDPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов