Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4BC30FD-SPBF, IGBT 600В 28А D2Pak

Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Ном. номер: 970502573
Производитель: International Rectifier
IRG4BC30FD-SPBF, IGBT 600В 28А D2Pak
Доступно на заказ 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
230 × = 230
от 25 шт. — 172 руб.

Описание

The IRG4BC30FD-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with hyper-fast diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Код: 1013521

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.4
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4BC30FD-SPBF Datasheet
pdf, 1213 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRG4BC30FD-SPBF