IRG4BC30KDPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

370 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 8 шт. — 320 руб.

от 15 шт. — 296 руб.

от 30 шт. — 285 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 740 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8930026480

Артикул: IRG4BC30KDPBF

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт

Корпус	TO-220AB
Brand	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.21 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current at 25 C	28 A
Continuous Collector Current Ic Max	28 A
Factory Pack Quantity	1000
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	8.77 mm(Max)
Length	10.54 mm(Max)
Manufacturer	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	100 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Technology	Si
Unit Weight	0.211644 oz
Width	4.69 mm(Max)
Вес, г	2.5

pdf, 199 КБ

Мы рекомендуем