IRG4PC50FPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 190 руб.
от 2 шт. —
2 140 руб.
от 3 шт. —
2 110 руб.
от 4 шт. —
2 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 190 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247AC | |
| Channel Type | N | |
| Collector Current (DC) | 70(A) | |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) | |
| Configuration | Single | |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Operating Temperature (Max) | 150C | |
| Operating Temperature (Min) | -55C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Rad Hardened | No | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IRG4PC50F Datasheet
pdf, 151 КБ
Документация
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
