Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]

Артикул: IRG4PC50FDPBF
Ном. номер: 15213
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]
Фото 2/4 IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]Фото 3/4 IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]Фото 4/4 IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]
Есть в наличии более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
220 × = 220
от 8 шт. — 190 руб.
от 100 шт. — 145.14 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.

• ±20V Gate-emitter voltage

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.6
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4PC50FD Datasheet
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PC50FDPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов