Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]

Артикул: IRG4PH30KDPBF
Ном. номер: 212342212
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]
Фото 2/2 IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
140 × = 140
от 3 шт. — 130 руб.
от 30 шт. — 128 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRG4PH30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

• Combines low conduction losses with high switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.9
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4PH30KD Datasheet
pdf, 215 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PH30KDPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов