IRG7PH30K10PBF, Transistor IGBT N-Ch 1.2K

PartNumber: IRG7PH30K10PBF
Ном. номер: 8006548560
Производитель: International Rectifier
IRG7PH30K10PBF, Transistor IGBT N-Ch 1.2K
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
660 × = 660
от 5 шт. — 400 руб.
от 20 шт. — 315 руб.

Описание

Single IGBT over 21A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRG7PH30K10PBF, 33 A 1200 V, 3-Pin TO-247AC

Технические параметры

Ширина
5.31mm
Максимальное рассеяние мощности
210 W
Максимальный непрерывный ток коллектора
33 A
Число контактов
3
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7
Длина
15.87mm
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
20.7mm

Дополнительная информация

1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT Datasheet