IRG7PH42UD-EP, IGBT 1200V 85A Ultrafast

PartNumber: IRG7PH42UD-EP
Ном. номер: 8045274552
Производитель: International Rectifier
IRG7PH42UD-EP, IGBT 1200V 85A Ultrafast
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
950 × = 950

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, International Rectifier
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRG7PH42UD-EP, 85 A 1200 V, 8 → 30kHz, 3-Pin TO-247AD

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
85 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
320 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-247AD
Число контактов
3
Скорость переключения
8 → 30кГц
Ширина
5.31mm
Высота
20.7mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet