Добавить к сравнению Сравнить ()

IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]

Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Ном. номер: 9000113592
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]
Фото 2/2 IRG7PH42UD1PBF, IGBT 1200В 30А [TO-247AC]
Доступно на заказ 17 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
540 × = 540

Описание

The IRG7PH42UD1PBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultra-low VF diode for induction heating and soft switching applications. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• Ultra-low VF diode
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• Low EMI
• 1300Vpk Repetitive transient capacity

Код: 1857372

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.7
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG7PH42UD1PBF datasheet
pdf, 424 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRG7PH42UD1PBF

Видео