IRGB15B60KDPBF, IGBT 600V 31A Ultrafast D

PartNumber: IRGB15B60KDPBF
Ном. номер: 8117522919
Производитель: International Rectifier
IRGB15B60KDPBF, IGBT 600V 31A Ultrafast D
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
410 × = 820
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 50 шт. — 280 руб.

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, International Rectifier
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from International Semiconductor provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IGBT 600V 31A Ultrafast Diode TO-220AB

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.54 x 4.69 x 15.24
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
31 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Скорость переключения
8 → 30
Ширина
4.69
Высота
15.24mm
Длина
10.54mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet