Добавить к сравнению Сравнить ()

IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]

Артикул: IRGB4056DPBF
Ном. номер: 9000102322
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]Фото 3/5 IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]Фото 4/5 IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]Фото 5/5 IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]
Есть в наличии более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
220 × = 220
от 3 шт. — 180 руб.
от 100 шт. — 154.93 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRGB4056DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation. It is suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for 4X rated current (ILM)
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Ultrafast soft recovery co-pack diode
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• Low EMI
• 5µs Short-circuit SOA

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.85
Управляющее напряжение,В
6.5
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…175
Корпус

Техническая документация

IRGB4056DPBF datasheet
pdf, 292 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGB4056DPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов